近期在 2026 闪存峰会 FMS 上，SK 海力士联合闪迪正式发布HBF 高带宽闪存完整行业规范，打造全新 AI 存储层级，补齐大模型推理时代的存储短板，存储产业正式迎来 HBM+HBF 双架构并行的新时代。

HBF 标准落地：填补 HBM 与 SSD 之间的空白地带

本次双方联合推出的开放 HBF 规范，由 OCP 开放计算项目工作组主导制定，谷歌、Tenstorrent 等 AI 企业同步加入生态联盟，整套规格参数清晰落地：堆叠方案支持 8 层、16 层 NAND 架构，单颗最高容量可达 512GB；划分三档带宽等级，传输区间 0.4TB/s~3.0TB/s，对标主流 HBM 带宽水平；搭载通用 UCIe 互联接口，可无缝对接 GPU、CPU 各类计算芯片，适配全品类 AI 硬件。

简单来讲，HBF 并不是用来取代 HBM，而是互补搭档。HBM 依靠堆叠 DRAM 实现超高带宽，但成本昂贵、容量偏小；普通 SSD 容量充足却带宽不足，跟不上 AI 高速读写需求。

而 HBF 采用堆叠 NAND 闪存的模式，介于二者中间：拥有接近 HBM 的带宽，同时容量达到 HBM 的 8~16 倍、成本大幅优化，专门承接 AI 推理海量 KV 缓存数据存储需求。

布局配套产能：375 层 4D NAND 明年量产夯实 HBF 底座

为支撑 HBF 规模化商用，SK 海力士同步官宣闪存技术量产节奏：旗下第十代 375 层 4D NAND 闪存完成技术验证，定于 2027 年初正式量产。该产品改用钼材质替代传统钨制作字线，突破 300 层以上超高堆叠的工艺瓶颈，功耗表现大幅优化，专门面向数据中心、AI 推理场景打造。

长期以来 NAND 产业陷入价格内卷，而 AI 推理爆发打开闪存全新增长曲线。伴随 HBF 标准开源，NAND 不再只是硬盘、U 盘的原材料，正式跻身 AI 算力核心存储阵列，存储厂商的竞争逻辑，也从单纯比拼堆叠层数，转向架构方案与生态话语权的比拼。

不同于封闭的私有存储方案，本次 HBF 采用开放标准化路线，允许全球芯片设计、服务器厂商接入适配，快速壮大生态。现阶段三星、美光均已开始跟进 HBF 相关技术研发，存储行业即将形成 “HBM 主攻训练、HBF 主攻推理” 的分工格局。

一边是 HBM 持续紧缺拉高 AI 训练成本，一边是 HBF 开辟推理存储新蓝海，叠加 375 层高阶 NAND 产能释放，整个存储产业链迎来结构性机遇。对于元器件分销行业而言，AI 推理服务器放量之后，配套互联芯片、被动元件、存储接口器件的需求，也将跟随 HBF 商业化进程稳步上行。

未来，算力的上限由 GPU 决定，但算力的成本、规模化落地的速度，将由 HBM+HBF 全新存储架构来定义。